首页> 外文OA文献 >Confinement of fractional quantum Hall states in narrow conducting channels
【2h】

Confinement of fractional quantum Hall states in narrow conducting channels

机译:窄导体中分数量子霍尔态的限制   渠道

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Confinement of small-gapped fractional quantum Hall states facilitatesquasiparticle manipulation and is an important step towards quasiparticleinterference measurements. Demonstrated here is conduction through top gatedefined, narrow channels in high density, ultra-high mobility heterostructures.Transport evidence for the persistence of a correlated state at fillingfraction 5/3 is shown in channels of 2micron length but gated to near 0.3micronin width. The methods employed to achieve this confinement hold promise forinterference devices proposed for studying potential non-Abelian statistics atfilling fraction 5/2.
机译:小间隙分数量子霍尔态的限制有利于准粒子操纵,并且是迈向准粒子干涉测量的重要一步。此处展示的是通过高密度,超高迁移率异质结构中的顶部门定义的狭窄通道进行的传导。在填充分数为5/3时相关状态的持久性的运输证据显示在2微米长的通道中,但门控宽度接近0.3微米。用于实现此限制的方法有望为干扰设备的研究提供希望,该设备用于研究填充分数5/2的潜在非阿贝尔统计量。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号